国产手机的闪存（别买小容量新款旗舰机）

高端旗舰机型的“小容量入门款”版本究竟能不能买这个问题，此前我们三易生活曾多次在相关内容中进行过论述。

不过此前我们主要是针对“小容量旗舰机”的内存问题进行测试，并指出对于如今智能手机采用的“统一内存”设计（即内存需要同时服务于CPU和GPU、既当内存又当显存）来说，过小的内存不仅会限制多任务能力，甚至还会直接影响到手机的计算性能、3D性能。

然而最新的相关信息似乎表明，“小容量旗舰机”的缺憾还不仅限于多任务能力和重负载（游戏）下的性能发挥，甚至会让手机在日常使用时，表现得比同配置的大容量型号明显更慢一些。

小容量旗舰机在硬件规格上被“差别对待”

最近，三星即将发布的新款旗舰机型Galaxy S23系列吸引了不少朋友的关注。这一方面自然是因为它作为三星的最新旗舰产品，此次有望破天荒的用上定制版本的骁龙8 Gen2移动平台，开创了高通骁龙SoC“独占”的新纪元。另一方面则是因为有消息源透露，Galaxy S23系列机型的“入门”版本，将会在存储芯片上采用一些前所未有的“降级”策略。

据相关消息源透露，Galaxy S23系列中的中高阶款式，也就是Galaxy S23 与Galaxy S23Ultra都将配备256GB起步的存储容量。同时它们也会与其他品牌的骁龙8 Gen2旗舰机型一样，采用“满血版”的LPDDR5X内存与UFS4.0闪存，以带来显著优于上代产品的性能表现。

但是在入门款Galaxy S23的“最低配”上，情况就有点不一样了。据称Galaxy S23将会提供最低128GB的存储容量版本，但问题在于，至少到目前为止，三星并没有生产任何容量低于256GB的UFS4.0闪存芯片。而且也没有任何证据表明，三星会专门为入门款的Galaxy S23采购小容量UFS4.0芯片。

于是，目前唯一合理的解释，就是Galaxy S23的128GB版本大概率将采用UFS3.1闪存。甚至考虑到三星自家的UFS3.1闪存末期版本（也就是俗称的V6闪存）也没有小于256GB的事实，Galaxy S23 128GB版本的存储性能可能仅有早期UFS3.1的性能水准。而这自然就会意味着，哪怕是在日常的使用中也可能会比256GB或其他Galaxy S23系列机型，要明显慢上很多。

小容量没有高性能，这是闪存的基本原理

为什么三星不造128GB的UFS4.0闪存？一句话来概括，其实就是“造不出来”这么简单。但为什么128GB的UFS4,0闪存会“造不出来”，而256GB或更大容量的就能造出来呢，要解释这一点，就需要涉及到一些闪存的基本工作原理了。

如果你是一位PC玩家，可能听说过“磁盘阵列”这个概念，它指的是将多块磁盘以并联方式进行读写操作，这样就能同时提升容量和性能。比如10块2TB的硬盘同时工作在RAID0的阵列模式下，那么理论上来说就能拥有20TB的总容量，以及接近单盘10倍的读写速度。

如果把10块2TB的硬盘换成2块10TB的硬盘呢？很明显，此时磁盘阵列的总容量虽然并没有改变，但因为硬盘的数量大幅减少，虽然单块硬盘可能会速度更快，但总的并联读写速度大概率反而是会下降的。

没错，闪存如今面临的局面其实就是这么一回事，因为在闪存芯片内部其实都具备微观上的“并联读写”设计。在过去半导体制程不发达的时候，单个闪存单元的容量做不大，所以哪怕是外表看起来相对小容量的闪存芯片，其“内在”的并联结构也可能是“满血”的。

但随着如今半导体制程越来越先进，芯片厂商已经可以轻易造出单芯片512GB、单芯片1TB，甚至是单芯片2TB的闪存了。在这个前提下，单芯片128GB闪存内部的每一个微观存储单元容量，其实与512GB、1TB的闪存并没有什么不同，也就是说，它的内部“并联”通道数量反而因为制程的进步而遭到了削减。从而导致小容量闪存注定是“残血”，也就是只有同期大容量闪存几分之一的速度。

要容量、还是要速度？其实厂商也不傻

值得注意的是，尽管有着这样那样的技术限制，但实际上“小容量UFS4.0闪存”并非完全造不出来。比如铠侠（也就是东芝）其实就已经推出了128GB的UFS4.0闪存芯片，但测试结果表明，该芯片虽然确实采用了UFS4.0接口，可由于无法克服本身的技术原理缺陷，因此它的实际速度并不能达到其他（大容量）UFS4.0闪存的同等水平，实际上也就与UFS3.1差不多。

当然，可能有的朋友会就此产生一个疑问，如果小容量闪存“做不快”的原因，是因为现今半导体制程过于先进的话，那么为什么不干脆专门去用老制程来制造小容量闪存芯片，这样难道不就可以实现小容量、高内部并联数（也即高性能）的共存吗？

尽管理论上确实是这样的，但具体到实施上，这却会带来一个很严重的问题。

对于最新的闪存工艺来说，1TB以下的单颗容量甚至可能都“有难度”了

大家要知道，闪存行业之所以会不断追求新的制程，是因为新制程可以更容易造出大容量的芯片。也就是说，它能够直接提升“容价比”，让闪存的单位成本大幅下降。如果专门为了提升小容量闪存的性能，而为其改用旧工艺的话，最直接的结果就是会造成小容量闪存很可能比大容量版本的成本更高。

大家不妨设想一下，如果哪个厂商在发布新机时，专门推出一款“小容量高性能版本”，并言明其所采用的128GB（或64GB）闪存具备比同类产品高得多的速度，但与此同时，价格也与更大容量的版本等同、甚至更贵，那么到底又有多少消费者能够接受呢？

请注意，我们并不是说这样的产品没有意义（甚至我们不否认，可能有用户对其存在需求），但在技术与市场的双重作用下，“小容量机型”在闪存规格、日常使用性能上的短板，未来或将会愈发明显。相比之下，三星Galaxy S23系列机型上所出现的这个问题，或许只能说是个“预兆”而已。

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