发光二极管接220v用多大电阻（发光二极管的工作原理）

发光二极管简称为LED。由镓（Ga）与砷（AS）、磷（P）的化合物制成的二极管，当电子与空穴复合时能辐射出可见光，因而可以用来制成发光二极管，在电路及仪器中作为指示灯，或者组成文字或数字显示。磷砷化镓二极管发红光，磷化镓二极管发绿光，碳化硅二极管发黄光。它是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能；常简写为LED。发光二极管主要由PN结芯片、电极和光学系统组成，当在电极上加上正向偏压之后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子， 在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，当非平衡少数载流子和多数载流子复合时，就会以辐射光子的形式将多余的能量转化为光能。其发光过程包括三个部分：正向偏压下的载流子注入、复合辐射和光能传输，不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同，释放出的能量越多，则发出的光的波长越短。常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。

二极管主要是靠载流子的不断移动而发光的，不存在老化和烧断的现象，其特殊的发光机理决定了它的发光寿命长达5-10万个小时。

不同颜色的发光二极管其正向工作电压是有所不同的。通常采用20MA的恒流标准工作电流情况下：

1.红色，黄绿色，草绿色，黄色，橙色，琥珀色等的工作电压在1.8-2.4V之间；

2.蓝色，翠绿色，粉红色，紫色，白色等的工作电压在2.8-3.4V之间。

LED发光二极管根据客户的使用要求经过分光分色工序后，其工作电压会按0.1-0.2V分档使用。另外，相比小白炽灯泡和氖灯，LED发光二极管具有工作电压低，工作电流小，抗冲击和抗震性能好，可靠性高，寿命长，节能，环保等优点。同时可通过调整电流大小改变其发光强度。

LED产品中，一项重要的规格数字就是色温，这关系到LED灯光照明产品所显示的顏色特性，一般的灯具也都有色温的规格。色温高低计量单位是以KelvinScale，也就是以K为单位，一开始是凯氏於钢铁厂内观察到溶解金属开始至最高温度时，金属发亮所呈现的顏色不同，而以数据单位记录下来，后来就产生色温的规格表。

一、色温的定义：以绝对温度K来表示，即把标准黑体加热，温度升高到一定程度时该黑体顏色开始深红-浅红-橙黄-白-蓝，逐渐改变，某光源与黑体的顏色相同时，我们把黑体当的绝对温度称为该光源的色温。

二、不同光源环境下的色温：下面是一般常见照明灯具所采用的色温 卤素灯 3000k 钨丝灯 2700k 高压钠灯 1950-2250k 蜡烛光 2000k 金属卤化物灯 4000-4600k 冷色荧光灯 4000-5000k 高压汞灯 3450-3750k 暖色萤光灯 2500-3000k 晴空 8000-8500k 阴天 6500-7500k 夏日正午阳光 5500k 下午日光 4000k

三、不同色温下的光色：1、低色温：色温在3300K以下，光色偏红给以温暖的感觉；有稳重的气氛，温暖的觉；当採用低色温光源照射时，能使红色更鲜艳。 2、中色温：色温在3000--6000K为中间，人在此色调下无特别明显的视觉心理效，有爽快的感觉；所以称为"中性"色温。当採用中色温光源照射时，使蓝色具有 清凉感。 3、高色温：色温超过6000K，光色偏蓝，给人以清冷的感觉，当採用高色温光源照时，使物体有冷的感觉。

一、MB芯片

结合发光二极管的正向导通电压和工作电流,可以计算需要使用限流电阻的阻值,焊接限流电阻就可以使发光二极管以限定的电流正常工作.发光二极管限流电阻计算方法如下:

R(限流电阻)＝（E(电源电压)－VF(发光二极管的正向压降)）／IF(LED的工作电流)

发光二极管的压降是由芯片固定的.在标准20mA电流的情况下,常用的发光颜色的正向导通压降分别如下:红色压降:1.8-2.4V黄绿色(普绿色)压降:1.8-2.4V黄色压降:1.8-2.4V橙色压降:1.8-2.4V蓝色压降:2.8-3.6V翠绿色压降：2.8-3.6V白色压降：2.8-3.6V紫色压降：2.8-3.4V粉红色压降：2.8-3.4V

常见LED芯片的特点:

一、MB芯片

定义：METAL BONDING（金属粘着）芯片；该芯片属于UEC的专利产品。

特点: 1.采用高散热系数的材料---SI 作为衬底、散热容易。

2.通过金属层来接合（WAFER BONDING）磊晶层和衬底，同时反射光子，避免衬底的吸收。

3.导电的SI衬底取代GAAS衬底，具备良好的热传导能力（导热系数相差3-4倍），更适应于高驱动电流领域。

4.底部金属反射层、有利于光度的提升及散热

5.尺寸可加大、应用于HIGH POWER领域、ER：42MIL MB

二、GB芯片

定义：GLUE BONDING（粘着结合）芯片；该芯片属于UEC的专利产品

特点：1.透明的蓝宝石衬底取代吸光的GAAS衬底、其出光功率是传统AS（ABSORBABLE STRUCTURE）芯片的2倍以上、蓝宝石衬底类似 TS芯片的GAP衬底。

2.芯片四面发光、具有出色的PATTERN

3.亮度方面、其整体亮度已超过TS芯片的水准（8.6mil）

4.双电极结构、其耐高温电流方面要稍差于TS单电极芯片

三、TS芯片

定义:transparent structure（透明衬底）芯片、该芯片属于HP的专利产品。

特点: 1.芯片工艺制作复杂、远高于AS LED

2.信赖性卓越

3.透明的GAP衬底、不吸收光、亮度高

四、AS芯片

定义：ABSORBABLE STRUCTURE（吸收衬底）芯片

特点: 1.四元芯片、采用MOVFE工艺制备、亮度相对于常规芯片要亮

2.信赖性优良

片属于UEC的专利产品

特点：1.透明的蓝宝石衬底取代吸光的GAAS衬底、其出光功率是传统AS（ABSORBABLE STRUCTURE）芯片的2倍以上、蓝宝石衬底类似 TS芯片的GAP衬底。

2.芯片四面发光、具有出色的PATTERN

3.亮度方面、其整体亮度已超过TS芯片的水准（8.6mil）

4.双电极结构、其耐高温电流方面要稍差于TS单电极芯片

三、TS芯片

定义:transparent structure（透明衬底）芯片、该芯片属于HP的专利产品。

特点: 1.芯片工艺制作复杂、远高于AS LED

2.信赖性卓越

3.透明的GAP衬底、不吸收光、亮度高

四、AS芯片

定义：ABSORBABLE STRUCTURE（吸收衬底）芯片

特点: 1.四元芯片、采用MOVFE工艺制备、亮度相对于常规芯片要亮

2.信赖性优良

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